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（d）在Vds=100mV时，电力637、940和1550nm光的时间分辨光响应Vbg分别为0V，42V，50V。【成果简介】近日，交易中科院上海技术物理研究所王建禄研究员、交易孟祥建研究员和中科院半导体研究所潘东副研究员（共同通讯作者）等人报道了一种基于高质量InSb纳米片（NSs）的红外（IR）光电探测器，该探测器在可见光（637nm）到红外光（4.3µm）的宽光谱范围内显示出清晰的光响应。

其中，中心光电探测器在光波通信、成像技术和集成电路中广泛应用而受到特别的关注。每日（c）InSbNS的高分辨率TEM图像。（f）在77K的线性坐标下的传递特性曲线，信息表现出双极性行为。

（c）在4.3μm激光照射下，山西市场在Vds=0.1V下测量InSbNSIR光电探测器的光响应特性。电力研究成果以题为HighlySensitiveInSbNanosheetsInfraredPhotodetectorPassivatedbyFerroelectricPolymer发布在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上。

（b）在黑暗中和不同入射光功率下，交易钝化的InSbNS光电探测器的Vds-Ids曲线。

为进一步提高探测器的光敏性，中心作者利用铁电聚合物P(VDF-TrFE)对InSbNSs表面进行钝化处理，得到了高灵敏度的红外光探测器。2017年获德国化学工程和生物技术协会（DECHMA）和德国催化协会催化成就奖（Alwin Mittasch Prize 2017），每日所带领的纳米和界面催化团队获首届全国创新争先奖牌。

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