靠包设计同样讲究人体工程学，国网甘肃床架的高度、靠背的倾斜度、以及靠包支撑贴合度等方面完美切合人体。

利用进一步溶剂热反应，电力大数在Cu2S@Carbon表面生长出一层MoS2纳米片，得到Cu2S@Carbon@MoS2三层空心结构。由于有效的电荷分离，陇东Cu9S5/MoS2 p-n异质结在反向偏置时具有较低的暗电流，在照明下具有较高的光响应。

北京大学张艳锋课题组与清华大学等人合作报道了通过熔融-固化法将多晶Au箔转化成厘米级Au（111）薄膜，据中接入并以此作为范德华外延的衬底，据中接入实现了单层MoS2纳米片的单一取向生长，获得了厘米级（1英寸）单晶单层MoS2薄膜。心已图八：在Au（111）上生长均匀单层MoS2单晶示意图及表征图9.AdvancedMaterials二维铁磁性Cr2S3半导体可控生长和厚度导电性依赖二维磁性材料作为构造多功能电子和自旋电子设备的理想平台引起了广泛的关注。通过选择不同的2D过渡金属二卤化金属（TMDC），数据p-n结具有定制的能带排列方式，并具有出色的光电探测器性能。

国网甘肃图四：超薄PbSnS2薄片CVD生长和表征示意图5.Adv.Funct.Mater.盐辅助生长P型Cu9S5纳米薄片用于高响应性的P-N异质结光电探测器基于二维（2D）范德华异质结构的p-n结是下一代电子学和光电子学中最有希望的替代方法之一。电力大数湖北大学王喜娜课题组与北京大学张艳锋课题组合作通过便携式水热法成功地在10×20cm2大小的Ni泡沫上合成了由Ni3S2纳米晶体（尺寸10nm）装饰的a-MoSx薄片的杂化催化剂。

图六：陇东H相VS2单层膜的合成与表征示意图7.Adv.Funct.Mater.通过氧等离子体处理具有宽带响应的巨型增强型2DSnS2光电探测器层状二硫化锡（SnS2）由于其高的载流子迁移率和出色的光响应性而成为具有多种功能的重要半导体，陇东由于费米能级钉扎效应（显着的金属接触电阻）的固有缺陷Vs（硫空位），从而使其无法在光电器件应用中充分发挥其潜在的性能。

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